IBM представила первый в мире чип, выполненный по 2-нм техпроцессу

IBM сравнила свой новый 2-нанометровый чип с 7-нанометровыми. По её словам, новинка обладает на 75 % более высокой производительностью при том же уровне потребления энергии. А при одинаковом уровне производительности потребление энергии у нового чипа окажется на 45 % ниже.

В IBM прогнозируют, что переход на 2-нм техпроцесс при производстве тех же процессоров для смартфонов позволит увеличить у последних время автономной работы от батареи до четырёх суток. Использование 2-нм техпроцесса в процессорах для серверного сегмента позволит снизить общий уровень энергопотребления дата-центров, а также положительно скажется на окружающей среде за счёт снижения объёма оставляемого углеродного следа. Кроме того, микросхемы на основе 2-нм техпроцесса позволят ускорить время обработки данных системами автоматического управления автомобилями, что существенно улучшит эту технологию.



Кремниевая пластина с 2-нм чипами IBM


Компания IBM в своём пресс-релизе не пояснила на базе каких транзисторов создан чип. Однако, как пишет AnandTech, на опубликованных IBM изображениях демонстрируется трёхстековая конструкцию GAA-транзистора (Gate-All-Around).





Высота его ячейки составляет 75 нм, ширина — 40 нм, толщина внутренних слоёв — 5 нм. Шаг поликремниевого затвора с контактом составляет 44 нм, а длина затвора — 12 нм.




По данным ZDnet, у IBM готовы пока только тестовые образцы новых чипов. Согласно планам, массовое производство будет запущено к концу 2024 года, о чём сообщил вице-президент IBM по гибридным облакам Мукеш Кхаре (Mukesh Khare). Портал Engadget сообщает, что серийные образцы чипов получат несколько иные спецификации. Компания постарается найти баланс производительности и энергопотребления, чтобы изделия превосходили 7 нм по обоим этим параметрам.